A jelenlegi csúcskészülékek a Qualcomm Snapdragon 821-es chipsetével működnek (már amelyik), viszont a vállalat ma bemutatta a Snapdragon 835-öt. Ez a chipset a 2017-es zászlós mobilokhoz már elérhető lesz.
A Qualcomm a Snapdragon 820-hoz hasonlóan a 835-nél is a Samsunggal kooperált és még mielőtt bárki jönne a robbanásos poénokkal azt meg kell jegyezni, hogy a Samsung nagyon jó a SoC-ok fejlesztésében. Így a két vállalat közösen dolgozva az új chipset már 10 nm-es FinFET technológiával készült, így a Snapdragon 835 még energiatakarékosabb.
A 14 nm-es Snapdragon 820-hoz képest a 835 30%-kal kisebb, 27%-kal nagyobb teljesítményre képes és 40%-kal energiatakarékosabb. Valljuk be, ez azért elég jól hangzik! A kisebb SoC több helyet hagy más komponenseknek, mint mondjuk a nagyobb akkumulátornak..
A Snapdragon 835 már a Qualcomm új Quick Charge 4.0 technológiáját is támogatja, amivel 20%-kal gyorsabban feltölthető egy akku, mint Quick Charge 3.0 támogatással.
Maga a töltés az új technológiával átlagosan 5 °C fokkal kevesebb hőt generál, tehát hiába tölt gyorsan, nem fog jobban melegedni. 5 percnyi töltéssel készülékünk 5 órát fog kibírni, aminek kb ha a fele igaz, már az is elég jó eredmény.
