12 nanométeres DDR5 DRAM-ot mutatott be a Samsung, amely az elődjénél 23%-kal kevesebb energiát fogyaszt, az ezt használó első memóriák jövőre érkezhetnek.
A Samsung ma bejelentette a 16 Gb-os DDR5 DRAM frissített verzióját. A memória a 12 nm-es gyártástechnológiára épül, ami továbbfejlődött a jelenleg piacon lévő 14 nm-es EUV termékhez képest.
A bejelentésben azt is elárulták, hogy az új DDR5 DRAM kompatibilis az AMD termékekkel – Zen platformokon optimalizálták és tesztelték.
Jooyoung Lee, a Samsung DRAM-termékekért és technológiáért felelős alelnöke elmondta, hogy az új szabvány kulcsfontosságú lesz a DDR5 DRAM piaci szintű elterjedésében.
Olyan új anyag felhasználásával gyártják, amely növeli a cellakapacitást, és olyan szabadalmaztatott tervezési technológiát használnak, amely javítja a kritikus áramköri jellemzőket.
Az új DRAM az EUV (extrém ultraibolya) litográfián alapul, 23%-kal kevesebb energiát fogyaszt, így lehetővé teszi az IT cégek környezetbarátabb működését.